室温下(Ga,Mn)As中载流子的自旋弛豫特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘晓东
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 57期号:6页码:3857-3861 |
| 中文摘要 | 运用飞秒时间分辨抽运-探测克尔光谱技术,研究了室温下退火及未退火(Ga,Mn)As的载流子自旋弛豫的激发能量密度依赖性,发现电子自旋弛豫时间随激发能量密度增加而增大,而在同一激发能量密度下,退火样品比未退火样品具有更短的载流子复合时间、电子自旋弛豫时间和更大的克尔转角,显示DP机理是室温下(Ga,Mn)As的电子自旋弛豫的主导机理.退火(Ga,Mn)As的超快克尔增强效应显示其在超高速全光自旋开关方面的潜在应用价值,也为(Ga,Mn)As铁磁性起源的p-d交换机理提供了证据. |
| 英文摘要 | 运用飞秒时间分辨抽运-探测克尔光谱技术,研究了室温下退火及未退火(Ga,Mn)As的载流子自旋弛豫的激发能量密度依赖性,发现电子自旋弛豫时间随激发能量密度增加而增大,而在同一激发能量密度下,退火样品比未退火样品具有更短的载流子复合时间、电子自旋弛豫时间和更大的克尔转角,显示DP机理是室温下(Ga,Mn)As的电子自旋弛豫的主导机理.退火(Ga,Mn)As的超快克尔增强效应显示其在超高速全光自旋开关方面的潜在应用价值,也为(Ga,Mn)As铁磁性起源的p-d交换机理提供了证据.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:00:53导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3897.pdf: 451180 bytes, checksum: 0619b2ae574a5022903fec2f055dc659 (MD5) Previous issue date: 2008; 国家自然科学基金(批准号:6 49 295,6 678 9,1 334 3 ),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:2 5 558 3 )资助的课题; 中山大学物理系;中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金(批准号:6 49 295,6 678 9,1 334 3 ),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:2 5 558 3 )资助的课题 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-28 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16077]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘晓东. 室温下(Ga,Mn)As中载流子的自旋弛豫特性[J]. 物理学报,2008,57(6):3857-3861. |
| APA | 刘晓东.(2008).室温下(Ga,Mn)As中载流子的自旋弛豫特性.物理学报,57(6),3857-3861. |
| MLA | 刘晓东."室温下(Ga,Mn)As中载流子的自旋弛豫特性".物理学报 57.6(2008):3857-3861. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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