两个子带占据的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中填充因子的变化规律
文献类型：期刊论文
| 作者 | 商丽燕 ; 林铁 ; 周文政 ; 郭少令 ; 李东临 ; 高宏玲 ; 崔利杰 ; 曾一平 ; 褚君浩 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 57期号:6页码:3818-3822 |
| 中文摘要 | 研究了低温(1.5K)和强磁场(0-13T)条件下,InP基In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)A_(l0.48)As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的变化规律.结果表明,在电子自旋分裂能远小于朗道能级展宽的情况下,如果两个子带分裂能是朗道分裂能的整数倍时,即⊿E_(21)=κ*ω_c(其中κ为整数),填充因子为偶数;当两个子带分裂能为朗道分裂能的半奇数倍时,即⊿E_(21)=(2κ+1*ω/2,填充因子出现奇数. |
| 英文摘要 | 研究了低温(1.5K)和强磁场(0-13T)条件下,InP基In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)A_(l0.48)As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的变化规律.结果表明,在电子自旋分裂能远小于朗道能级展宽的情况下,如果两个子带分裂能是朗道分裂能的整数倍时,即⊿E_(21)=κ*ω_c(其中κ为整数),填充因子为偶数;当两个子带分裂能为朗道分裂能的半奇数倍时,即⊿E_(21)=(2κ+1*ω/2,填充因子出现奇数.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:00:54导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3898.pdf: 358247 bytes, checksum: 3f71ac4e941b661aa3dd9bf72fc7351d (MD5) Previous issue date: 2008; 国家自然科学基金(批准号:6 2215 2)资助的课题; 中国科学院上海技术物理研究所;中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金(批准号:6 2215 2)资助的课题 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-28 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16079]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 商丽燕,林铁,周文政,等. 两个子带占据的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中填充因子的变化规律[J]. 物理学报,2008,57(6):3818-3822. |
| APA | 商丽燕.,林铁.,周文政.,郭少令.,李东临.,...&褚君浩.(2008).两个子带占据的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中填充因子的变化规律.物理学报,57(6),3818-3822. |
| MLA | 商丽燕,et al."两个子带占据的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中填充因子的变化规律".物理学报 57.6(2008):3818-3822. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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