π-~(18)O非弹性散射
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘波; 姜焕清 |
| 刊名 | 高能物理与核物理
 |
| 出版日期 | 1982 |
| 期号 | 2页码:595-600 |
| 关键词 | 非弹性散射 微分截面 核子数 程函 价核子 同位旋 核散射 介子工厂 靶核 壳模型 |
| 其他题名 | PION-~18O INELASTIC SCATTERING |
| 通讯作者 | 刘波（理） |
| 中文摘要 | 我们在程函扭曲的DWIA框架下,用跃迁密度方法计算了230MeV的π到~(18)O的2~+(1.98MeV)激发态上的非弹性散射微分截面,分析了π~-和π~+截面比,研究了中子半径的变化对微分截面的影响。我们的理论计算结果与实验符合较好。 |
| 收录类别 | CNKI |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/216707]  |
| 专题 | 高能物理研究所_理论物理室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘波,姜焕清. π-~(18)O非弹性散射[J]. 高能物理与核物理,1982(2):595-600. |
| APA | 刘波,&姜焕清.(1982).π-~(18)O非弹性散射.高能物理与核物理(2),595-600. |
| MLA | 刘波,et al."π-~(18)O非弹性散射".高能物理与核物理 .2(1982):595-600. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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