In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 商丽燕 ; 林铁 ; 周文政 ; 黄志明 ; 李东临 ; 高宏玲 ; 崔利杰 ; 曾一平 ; 郭少令 ; 褚君浩 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 57期号:4页码:2481-2485 |
| 中文摘要 | 研究了不同沟道厚度的In_(0.53) Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性.在考虑了两个子带电子之间的磁致子带间散射效应后,通过分析Shubnikov-de Haas振荡一阶微分的快速傅里叶变换结果,获得了每个子带电子的浓度、输运散射时间、量子散射时间以及子带之间的散射时间.结果表明,对于所研究的样品,第一子带电子受到的小角散射更强,这与第一子带电子受到了更强的电离杂质散射有关. |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金(批准号:6 2215 2)资助的课题 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16103]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 商丽燕,林铁,周文政,等. In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性[J]. 物理学报,2008,57(4):2481-2485. |
| APA | 商丽燕.,林铁.,周文政.,黄志明.,李东临.,...&褚君浩.(2008).In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性.物理学报,57(4),2481-2485. |
| MLA | 商丽燕,et al."In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性".物理学报 57.4(2008):2481-2485. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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