UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周志文 ; 蔡志猛 ; 张永 ; 蔡坤煌 ; 周笔 ; 林桂江 ; 汪建元 ; 李成 ; 赖虹凯 ; 陈松岩 ; 余金中 ; 王启明 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 29期号:2页码:315-318 |
| 中文摘要 | 采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si_2H_6和GeH_4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si（001）衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530″和5.5cm~(-1),具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm~(-2).可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件. |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金（批准号 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16121]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周志文,蔡志猛,张永,等. UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层[J]. 半导体学报,2008,29(2):315-318. |
| APA | 周志文.,蔡志猛.,张永.,蔡坤煌.,周笔.,...&王启明.(2008).UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层.半导体学报,29(2),315-318. |
| MLA | 周志文,et al."UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层".半导体学报 29.2(2008):315-318. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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