电吸收调制激光器集成芯片的高频测试
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘宇
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| 刊名 | 中国激光
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 34期号:10页码:1427-1430 |
| 中文摘要 | 提出了一种精确测试电吸收调制激光器(EML)集成芯片高频特性的方法。待测芯片制作在带有微带线的热沉上,同时采用光探测器作为光电转换器,二者构成待测双口网络。被测双口网络的一端是共面线,使用微波探针作为测试夹具加载信号,另一端是同轴线,两个测试端口不同,不能采用简单的同轴校准方法校准待测系统。测试过程中采用扩展的开路-短路-负载(OSL)误差校准技术对集成器件的测试夹具微波探针进行校准,扣除了测试中使用的微波探针对集成光源高频特性的影响,同时采用光外差的方法扣除了高速光探测器的频率响应对结果的影响,得到集成光源散射参数的精确测试结果。 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金(6 51 173,6 536 1 ,9 4 1 25)资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16153]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘宇. 电吸收调制激光器集成芯片的高频测试[J]. 中国激光,2007,34(10):1427-1430. |
| APA | 刘宇.(2007).电吸收调制激光器集成芯片的高频测试.中国激光,34(10),1427-1430. |
| MLA | 刘宇."电吸收调制激光器集成芯片的高频测试".中国激光 34.10(2007):1427-1430. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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