一种新型2*2 SOI热光开关
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈少武
|
| 刊名 | 光电子·激光
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 18期号:11页码:1280-1282 |
| 中文摘要 | 设计并制作了一种新型的SOI 2×2马赫-曾德(MZ)热光开关.这种光开关采用了深刻蚀结构的配对多模干涉耦合器,同时,为了保证单模传输和调制,在连接波导和调制臂区域采用了浅刻蚀结构.深刻蚀结构增强了多模干涉耦合器对光场的限制,有利于自映像质量的提高,从而减少了自映像损耗和不均衡度,同时也提高了制作容差.基于强限制配对干涉耦合器的新型热光开关,其插入损耗为-11.0 dB,其中包括光纤-波导耦合损耗-4.3 dB,上升和下降开关时间分别为3.5μs和8.8μs. |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 资助信息 | 国家科技部"973"计划资助项目(G2 - 3-66),中央民族大学青年教师科研基金资助项目(CUN 7A) |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16175]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈少武. 一种新型2*2 SOI热光开关[J]. 光电子·激光,2007,18(11):1280-1282. |
| APA | 陈少武.(2007).一种新型2*2 SOI热光开关.光电子·激光,18(11),1280-1282. |
| MLA | 陈少武."一种新型2*2 SOI热光开关".光电子·激光 18.11(2007):1280-1282. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。