氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si薄膜深度剖析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李庚伟 ; 吴正龙 ; 邵素珍 ; 刘志凯 |
| 刊名 | 材料科学与工艺
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 15期号:5页码:685-688 |
| 中文摘要 | 对于在Si(111)上用氧离子束辅助(O~+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)生长的ZnO薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对长成的样品进行了异位测试,分析了导致各峰峰位能移的因素;通过异位与原位XPS谱图的比较,指出O+-assisted PLD法生成的ZnO薄膜中存在孔隙;指出生长出的ZnO薄膜中含si成分的厚度不超过18 nm;同时探讨了在长成的ZnO/Si上继续生长GaN薄膜的可行性. |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家高技术研究发展计划资助项目(715 1 162),中国地质大学(北京)科技基金资助项目(2 524) |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16177]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李庚伟,吴正龙,邵素珍,等. 氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si薄膜深度剖析[J]. 材料科学与工艺,2007,15(5):685-688. |
| APA | 李庚伟,吴正龙,邵素珍,&刘志凯.(2007).氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si薄膜深度剖析.材料科学与工艺,15(5),685-688. |
| MLA | 李庚伟,et al."氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si薄膜深度剖析".材料科学与工艺 15.5(2007):685-688. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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