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808nm大功率无铝有源区非对称波导结构激光器

文献类型:期刊论文

作者王俊; 王俊
刊名中国激光
出版日期2007
卷号34期号:8页码:1037-1042
中文摘要采用分别限制非对称波导结构,将光场从对称分布变为非对称分布,降低了载流子光吸收损耗,并允许p型区具有更高的掺杂水平,从而使器件电阻降低。对GaAsP/GaInP张应变单量子阱(SQW)非对称波导结构激光器的光场特性进行了理论分析,设计了波导层厚度,并制作了波长为808 nm的无铝有源区大功率半导体激光器.器件综合特性测试结果为
学科主题光电子学
收录类别CSCD
资助信息国家自然科学基金(914 A 2 114 6ZK 3)资助项目
语种中文
公开日期2010-11-23
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16185]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
王俊,王俊. 808nm大功率无铝有源区非对称波导结构激光器[J]. 中国激光,2007,34(8):1037-1042.
APA 王俊,&王俊.(2007).808nm大功率无铝有源区非对称波导结构激光器.中国激光,34(8),1037-1042.
MLA 王俊,et al."808nm大功率无铝有源区非对称波导结构激光器".中国激光 34.8(2007):1037-1042.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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