高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韦欣 ; 曹玉莲; 马文全; 渠红伟; 陈良惠; 王青
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 28期号:11页码:1803-1806 |
| 中文摘要 | 报道了980nm高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵的研制.列阵单元为蜂窝状密堆积排列,单元台面直径为70μm,氧化孔径为30μm,相邻单元间隔为100μm.制作了含7,19,37个单元的列阵,讨论了它们的阈值电流和远场特性.在室温连续工作条件下,3种列阵的最大输出功率分别为0.26,0.5和0.6W.其中含37个单元的列阵在6A脉冲电流(脉宽30μs,重复频率100Hz)激发下,输出功率达到1.4W. |
| 英文摘要 | 报道了980nm高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵的研制.列阵单元为蜂窝状密堆积排列,单元台面直径为70μm,氧化孔径为30μm,相邻单元间隔为100μm.制作了含7,19,37个单元的列阵,讨论了它们的阈值电流和远场特性.在室温连续工作条件下,3种列阵的最大输出功率分别为0.26,0.5和0.6W.其中含37个单元的列阵在6A脉冲电流(脉宽30μs,重复频率100Hz)激发下,输出功率达到1.4W.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:01:26导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3992.pdf: 579842 bytes, checksum: c7be8e7c6c88205102f7d19f28ad2192 (MD5) Previous issue date: 2007; 国家自然科学基金重点资助项目(批准号:6 636 3 ); 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金重点资助项目(批准号:6 636 3 ) |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-28 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16199]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韦欣,曹玉莲,马文全,等. 高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵[J]. 半导体学报,2007,28(11):1803-1806. |
| APA | 韦欣,曹玉莲,马文全,渠红伟,陈良惠,&王青.(2007).高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵.半导体学报,28(11),1803-1806. |
| MLA | 韦欣,et al."高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵".半导体学报 28.11(2007):1803-1806. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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