用纳米棒ZnO作模板生长无支撑的AlN纳米晶
文献类型:期刊论文
作者 | 焦春美![]() ![]() |
刊名 | 半导体学报
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出版日期 | 2007 |
卷号 | 28期号:10页码:1508-1512 |
中文摘要 | 用金属有机物气相外延在纳米棒ZnO模板上沉积AlN薄膜.SEM测试表明该薄膜形成了一种倾倒纳米棒的表面.而GIXRD测试进一步证实它是纤锌矿结构的AlN,晶粒尺度约为12nm,接近于ZnO纳米棒的直径(30nm).这意味着纳米棒结构的ZnO能限制AlN的横向生长.此外,高温下用H_2刻蚀ZnO直接在生长中实现了外延层的剥离.最终得到了无支撑的AlN纳米晶,完整无破损的区域约为1cm×1cm.定义这个生长机制为"生长-刻蚀-合并"过程. |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家自然科学基金资助项目(批准号:6 5 6 2) |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16207] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 焦春美,魏鸿源. 用纳米棒ZnO作模板生长无支撑的AlN纳米晶[J]. 半导体学报,2007,28(10):1508-1512. |
APA | 焦春美,&魏鸿源.(2007).用纳米棒ZnO作模板生长无支撑的AlN纳米晶.半导体学报,28(10),1508-1512. |
MLA | 焦春美,et al."用纳米棒ZnO作模板生长无支撑的AlN纳米晶".半导体学报 28.10(2007):1508-1512. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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