磷化铟中铁原子替位与填隙的热致转变及其对材料性质的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王博
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 56期号:9页码:5536-5541 |
| 中文摘要 | 高温退火后掺铁半绝缘(SI)InP单晶转变为n型低阻材料.利用霍尔效应(Hall),热激电流谱(TSC),深能级瞬态谱(DLTS),X射线衍射等方法分别研究了退火前后InP材料的性质和缺陷.结果表明受高温热激发作用部分铁原子由替位转变为填隙,导致InP材料缺少深能级补偿中心而发生导电类型转变.通过比较掺杂、扩散和离子注入过程Fe原子的占位和激活情况分析了这一现象的机理和产生原因. |
| 英文摘要 | 高温退火后掺铁半绝缘(SI)InP单晶转变为n型低阻材料.利用霍尔效应(Hall),热激电流谱(TSC),深能级瞬态谱(DLTS),X射线衍射等方法分别研究了退火前后InP材料的性质和缺陷.结果表明受高温热激发作用部分铁原子由替位转变为填隙,导致InP材料缺少深能级补偿中心而发生导电类型转变.通过比较掺杂、扩散和离子注入过程Fe原子的占位和激活情况分析了这一现象的机理和产生原因.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:01:32导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4008.pdf: 403256 bytes, checksum: 316a88cd63efb2ad145f5aec217ed143 (MD5) Previous issue date: 2007; 中国科学院半导体研究所;四川大学物理学院应用物理系 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-28 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16231]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王博. 磷化铟中铁原子替位与填隙的热致转变及其对材料性质的影响[J]. 物理学报,2007,56(9):5536-5541. |
| APA | 王博.(2007).磷化铟中铁原子替位与填隙的热致转变及其对材料性质的影响.物理学报,56(9),5536-5541. |
| MLA | 王博."磷化铟中铁原子替位与填隙的热致转变及其对材料性质的影响".物理学报 56.9(2007):5536-5541. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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