GaAs基光子晶体垂直腔面发射激光器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 许兴胜
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| 刊名 | 科学通报
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 52期号:10页码:1116-1119 |
| 中文摘要 | 成功研制了光子晶体垂直腔面发射激光器，实现了连续电注入激射，工作波长为850nm，最小阈值为2mA，最大阈值为13．5mA，其中光子晶体的晶格常数在0．5～3μm范围，占空比在0.3～0．7范围．发现器件能否激射依赖于光子晶体参数，而激光器的阈值、出射功率、出射模式与光子晶体的晶格常数、占空比、缺陷大小等因素有关． |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16257]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 许兴胜. GaAs基光子晶体垂直腔面发射激光器[J]. 科学通报,2007,52(10):1116-1119. |
| APA | 许兴胜.(2007).GaAs基光子晶体垂直腔面发射激光器.科学通报,52(10),1116-1119. |
| MLA | 许兴胜."GaAs基光子晶体垂直腔面发射激光器".科学通报 52.10(2007):1116-1119. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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