HIT太阳电池中ITO薄膜的结构和光电性能
文献类型：期刊论文
| 作者 | 任丙彦 ; 刘晓平 ; 许颖 ; 王敏花 ; 廖显伯 |
| 刊名 | 太阳能学报
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 28期号:5页码:504-507 |
| 中文摘要 | 采用射频磁控溅射技术在不同射频功率下沉积了ITO薄膜,并将其应用于HIT太阳电池.分析了薄膜的结构、光电特性.结果表明,在120W时制备的薄膜很好地兼顾了电阻率和光透过率,其电阻率为3.48×10~(-4)Ω·cm、在350～800 nm波段的平均光透过率为87.1%,将其应用于HIT太阳电池上,电池的转换效率可达13.38%. |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 河北省自然科学基金项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16269]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 任丙彦,刘晓平,许颖,等. HIT太阳电池中ITO薄膜的结构和光电性能[J]. 太阳能学报,2007,28(5):504-507. |
| APA | 任丙彦,刘晓平,许颖,王敏花,&廖显伯.(2007).HIT太阳电池中ITO薄膜的结构和光电性能.太阳能学报,28(5),504-507. |
| MLA | 任丙彦,et al."HIT太阳电池中ITO薄膜的结构和光电性能".太阳能学报 28.5(2007):504-507. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。