MOCVD生长GaN力学性能研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 段瑞飞 ; 魏同波
|
| 刊名 | 稀有金属材料与工程
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 36期号:3页码:416-419 |
| 中文摘要 | 采用MOCVD技术在蓝宝石衬底（0001）面上生长了GaN外延膜，利用原子力显微镜AFM、扫描电镜SEM分析了薄膜表面形貌，利用纳米压痕仪和UMT试验机考察了GaN膜的硬度、临界载荷以及摩擦学性能等。结果表明，薄膜以二维模式均匀生长，表面平整，硬度达22．1MPa，弹性模量为299．5GPa，与衬底结合紧密，临界载荷达1．6N，与GCr15钢球对磨时摩擦系数仅为0．13，与Si3N4陶瓷球摩擦时膜很快就磨穿。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家“863”项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16323]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 段瑞飞,魏同波. MOCVD生长GaN力学性能研究[J]. 稀有金属材料与工程,2007,36(3):416-419. |
| APA | 段瑞飞,&魏同波.(2007).MOCVD生长GaN力学性能研究.稀有金属材料与工程,36(3),416-419. |
| MLA | 段瑞飞,et al."MOCVD生长GaN力学性能研究".稀有金属材料与工程 36.3(2007):416-419. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。