InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孙征 ; 徐仲英 ; 阮学忠 ; 姬扬 ; 孙宝权 ; 倪海桥 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 56期号:5页码:2958-2961 |
| 中文摘要 | 利用偏振时间分辨光谱和时间分辨Kerr旋转谱,研究了(GaAs中的InAs单层和亚单层的电子自旋动力学.实验发现,在非共振激发条件下,厚度为l/3单层的InAs山亚单层中电子自旋弛豫寿命长达3.4 ns,而1个单层厚的InAs层的电子自旋寿命只有0.48 ns;而在共振激发条件下,亚单层结构中的电子自旋寿命大大减少,只有70ps,单层hLAs中电子自旋寿命没有显著变化.分析表明,低温下InAa单层和亚单层结构中,Bir-Aronov-Pikus(BAP)自旋弛豫机理占主导地位.通过改变材料结构特性和激发条件来改变电子空穴的空间相关性,从而达到控制自旋弛豫的目的. |
| 英文摘要 | 利用偏振时间分辨光谱和时间分辨Kerr旋转谱,研究了(GaAs中的InAs单层和亚单层的电子自旋动力学.实验发现,在非共振激发条件下,厚度为l/3单层的InAs山亚单层中电子自旋弛豫寿命长达3.4 ns,而1个单层厚的InAs层的电子自旋寿命只有0.48 ns;而在共振激发条件下,亚单层结构中的电子自旋寿命大大减少,只有70ps,单层hLAs中电子自旋寿命没有显著变化.分析表明,低温下InAa单层和亚单层结构中,Bir-Aronov-Pikus(BAP)自旋弛豫机理占主导地位.通过改变材料结构特性和激发条件来改变电子空穴的空间相关性,从而达到控制自旋弛豫的目的.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:01:53导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4078.pdf: 343518 bytes, checksum: b9f61ded7d995813e90fb93a176f2334 (MD5) Previous issue date: 2007; 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-28 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16329]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙征,徐仲英,阮学忠,等. InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究[J]. 物理学报,2007,56(5):2958-2961. |
| APA | 孙征,徐仲英,阮学忠,姬扬,孙宝权,&倪海桥.(2007).InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究.物理学报,56(5),2958-2961. |
| MLA | 孙征,et al."InAs单层和亚单层结构中的自旋动力学研究".物理学报 56.5(2007):2958-2961. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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