微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层
文献类型：期刊论文
| 作者 | 许颖 ; 刁宏伟 ; 张世斌 ; 励旭东 ; 曾湘波 ; 王文静 ; 廖显伯 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 56期号:5页码:2915-2919 |
| 中文摘要 | 采用等离子增强化学气相沉积方法(PEVVD)制备了微量掺碳的p型纳米非晶硅碳薄膜(p-nc-SiC:H),反应气体为硅烷和甲烷,掺杂气体采用硼烷,沉积温度分别采用333 K,353 K和373 K.测量结果表明随着沉积温度增加和碳含量的增加,薄膜的光学带隙增加;薄膜具有较宽的带隙和较高的电导率,同时有较低的激活能(0.06 eV).Raman和XRD测量结果表明薄膜存在纳米晶.优化的p型纳米非晶硅碳薄膜作为非晶硅p-i-n太阳电池的窗口层,使得太阳电池的开路电压达到0.94 V. |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 北京市自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16331]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 许颖,刁宏伟,张世斌,等. 微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层[J]. 物理学报,2007,56(5):2915-2919. |
| APA | 许颖.,刁宏伟.,张世斌.,励旭东.,曾湘波.,...&廖显伯.(2007).微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层.物理学报,56(5),2915-2919. |
| MLA | 许颖,et al."微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层".物理学报 56.5(2007):2915-2919. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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