截止波长12μm的InAs0.04Sb0.96/GaAs的熔体外延生长及特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈涌海
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| 刊名 | 光电子·激光
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 18期号:1页码:67-70 |
| 中文摘要 | 用熔体外延(ME)法在半绝缘(100)GaAs衬底上成功生长出了截止波长为12 μm的InAs0.04Sb0.96外延层.傅立叶变换红外(FTIR)透射光谱揭示,InAsSb合金的禁带宽度被强烈变窄.通过分析InAs0.04Sb0.96外延层载流子浓度的温度依存性表明,其室温禁带宽度为0.105 5 eV,与透射光谱测得的数值很好地一致.通过测量12～300 K的吸收光谱,研究了InAs0.04Sb0.96/GaAs的禁带宽度的温度依存性.霍尔测量得出300 K下样品的电子迁移率为4.47×104 cm2/Vs,载流子浓度为8.77×1015 cm-3;77 K下电子迁移率为2.15×104 cm2/Vs,载流子浓度为1.57×1015 cm-3;245 K下的峰值迁移率为4.80×104 cm2/Vs. |
| 英文摘要 | 用熔体外延(ME)法在半绝缘(100)GaAs衬底上成功生长出了截止波长为12 μm的InAs0.04Sb0.96外延层.傅立叶变换红外(FTIR)透射光谱揭示,InAsSb合金的禁带宽度被强烈变窄.通过分析InAs0.04Sb0.96外延层载流子浓度的温度依存性表明,其室温禁带宽度为0.105 5 eV,与透射光谱测得的数值很好地一致.通过测量12～300 K的吸收光谱,研究了InAs0.04Sb0.96/GaAs的禁带宽度的温度依存性.霍尔测量得出300 K下样品的电子迁移率为4.47×104 cm2/Vs,载流子浓度为8.77×1015 cm-3;77 K下电子迁移率为2.15×104 cm2/Vs,载流子浓度为1.57×1015 cm-3;245 K下的峰值迁移率为4.80×104 cm2/Vs.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:02:05导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4109.pdf: 200973 bytes, checksum: b1c43004872bc5ec29f31a1766b94bbb (MD5) Previous issue date: 2007; 国家自然科学基金资助项目; 同济大学电子与信息工程学院;中国科学院半导体研究所;中国科学院上海技术物理研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-28 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16391]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈涌海. 截止波长12μm的InAs0.04Sb0.96/GaAs的熔体外延生长及特性研究[J]. 光电子·激光,2007,18(1):67-70. |
| APA | 陈涌海.(2007).截止波长12μm的InAs0.04Sb0.96/GaAs的熔体外延生长及特性研究.光电子·激光,18(1),67-70. |
| MLA | 陈涌海."截止波长12μm的InAs0.04Sb0.96/GaAs的熔体外延生长及特性研究".光电子·激光 18.1(2007):67-70. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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