键合方法制备长波长面发射的实验和分析
文献类型:期刊论文
作者 | 曹玉莲![]() ![]() ![]() ![]() |
刊名 | 半导体学报
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出版日期 | 2007 |
卷号 | 28期号:3页码:444-447 |
中文摘要 | 通过疏水键合方法实现了InGaAsP/InP有源区与GaAs/AlAs DBR的单面和双面键合,并通过SEM,I-V曲线和反射谱、光致发光谱等手段研究了GaAs/InP键合界面的机械、光学和电学性质,良好的界面性质为使用键合技术制备长波长面发射激光器提供了可能性. |
学科主题 | 光电子学 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家重点基础研究发展计划资助项目 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16395] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹玉莲,渠红伟,王青,等. 键合方法制备长波长面发射的实验和分析[J]. 半导体学报,2007,28(3):444-447. |
APA | 曹玉莲,渠红伟,王青,&陈良惠.(2007).键合方法制备长波长面发射的实验和分析.半导体学报,28(3),444-447. |
MLA | 曹玉莲,et al."键合方法制备长波长面发射的实验和分析".半导体学报 28.3(2007):444-447. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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