中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
键合方法制备长波长面发射的实验和分析

文献类型:期刊论文

作者曹玉莲; 渠红伟; 王青; 陈良惠
刊名半导体学报
出版日期2007
卷号28期号:3页码:444-447
中文摘要通过疏水键合方法实现了InGaAsP/InP有源区与GaAs/AlAs DBR的单面和双面键合,并通过SEM,I-V曲线和反射谱、光致发光谱等手段研究了GaAs/InP键合界面的机械、光学和电学性质,良好的界面性质为使用键合技术制备长波长面发射激光器提供了可能性.
学科主题光电子学
收录类别CSCD
资助信息国家重点基础研究发展计划资助项目
语种中文
公开日期2010-11-23
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16395]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
曹玉莲,渠红伟,王青,等. 键合方法制备长波长面发射的实验和分析[J]. 半导体学报,2007,28(3):444-447.
APA 曹玉莲,渠红伟,王青,&陈良惠.(2007).键合方法制备长波长面发射的实验和分析.半导体学报,28(3),444-447.
MLA 曹玉莲,et al."键合方法制备长波长面发射的实验和分析".半导体学报 28.3(2007):444-447.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。