掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 宋淑芳 ; 陈维德 ; 许振嘉 ; 徐叙瑢 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 56期号:3页码:1621-1626 |
| 中文摘要 | 利用Raman散射谱研究了GaN注Er以及Er+O共注样品的振动模，并讨论了共注入O对Er离子发光的影响. 在Raman散射谱中，对于注Er的GaN样品出现了300 cm~(-1)和670 cm~(-1)两个新的Raman峰，而对于Er+O共注样品，除了上述两个峰外，在360 cm~(-1)处出现了另外一个新的峰，其中300 cm~(-1)峰可以用disorder-activated Raman scattering (DARS)来解释，670 cm~(-1)峰是由于与N空位相关的缺陷引起的，而360 cm~(-1)峰是由O注入引起的缺陷络合物产生的. 由于360 cm~(-1)模的缺陷出现，从而导致Er+O共注入GaN薄膜红外光致发光(PL)强度的下降 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划项目(973计划),中国博士后科学基金资助课题资助的课题 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16399]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋淑芳,陈维德,许振嘉,等. 掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究[J]. 物理学报,2007,56(3):1621-1626. |
| APA | 宋淑芳,陈维德,许振嘉,&徐叙瑢.(2007).掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究.物理学报,56(3),1621-1626. |
| MLA | 宋淑芳,et al."掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究".物理学报 56.3(2007):1621-1626. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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