硅漂移探测器的制作工艺及特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴广国; 黄勇; 贾彬; 曹学蕾 ; 孟祥承; 王焕玉; 李秀芝; 梁琨; 杨茹; 韩德俊
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| 刊名 | 核电子学与探测技术
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| 出版日期 | 2009 |
| 期号 | 2页码:436-441 |
| 关键词 | 硅漂移探测器 制作工艺 光响应度 漂移特性 悬空阳极电位 |
| 其他题名 | Fabrication and Characterizing of Silicon Drift Detectors |
| 中文摘要 | 采用双面并行的平面工艺研制出了有源区面积5mm2的硅漂移探测器(SDD)。这种双面并行的平面工艺使得SDD绝大部分正面和背面的pn结结构能够并行完成,极大地减少了工艺步骤,降低了器件制作的难度。对研制的SDD的漏电流、电势分布、光电子的漂移特性等进行了测量和分析,对238Puα射线源的能谱进行了测量,对正常工作状态下出现的悬空阳极电位进行了分析和讨论。报道了利用阳极漏电流、光电子漂移特性、悬空阳极电位对SDD芯片进行中测和封装前快速筛选的方法。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/218249]  |
| 专题 | 高能物理研究所_粒子天体物理中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴广国,黄勇,贾彬,等. 硅漂移探测器的制作工艺及特性研究[J]. 核电子学与探测技术,2009(2):436-441. |
| APA | 吴广国.,黄勇.,贾彬.,曹学蕾.,孟祥承.,...&韩德俊.(2009).硅漂移探测器的制作工艺及特性研究.核电子学与探测技术(2),436-441. |
| MLA | 吴广国,et al."硅漂移探测器的制作工艺及特性研究".核电子学与探测技术 .2(2009):436-441. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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