硅微条探测器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孟祥承 |
| 刊名 | 核电子学与探测技术
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| 出版日期 | 2003 |
| 期号 | 1页码:4--18 |
| 关键词 | 硅微条探测器 p-n结 耗尽层 死层 像素探测器 硅片探测器 电荷耦合探测器 硅漂移室 |
| 其他题名 | Silicon microstrip detector |
| 通讯作者 | 孟祥承 |
| 中文摘要 | 硅微条探测器的位置分辨率可好于σ=1.4μm,这是任何气体探测器和闪烁探测器很难作到的。主要介绍硅微条探测器的特点、结构、工作原理及其在近年来的发展和在高能物理、核医学等领域应用概况。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/218250]  |
| 专题 | 高能物理研究所_粒子天体物理中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孟祥承. 硅微条探测器[J]. 核电子学与探测技术,2003(1):4--18. |
| APA | 孟祥承.(2003).硅微条探测器.核电子学与探测技术(1),4--18. |
| MLA | 孟祥承."硅微条探测器".核电子学与探测技术 .1(2003):4--18. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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