InGaAsP/InGaP/AlGaAs大光学腔量子阱激光器的优化
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈良惠 ; 王青; 曹玉莲
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:12页码:2173-2177 |
| 中文摘要 | 本文对808nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料的大光学腔结构激光器进行了理论优化.为确保激光器是单横模激射,我们使用传递矩阵的方法,分别计算了限制层和欧姆接触层厚度对TE2和TE0模式损耗的影响,对上下限制层和欧姆接触层的厚度进行了优化,其优化后的厚度分别为0.8,0.6和0.11μm.高折射率的欧姆接触层被低折射率的限制层和金属层包围形成了无源的次级波导,泄漏波在次级波导中形成了寄生模式.欧姆接触层厚度对模式损耗的影响是周期性的,当欧姆接触层厚度为该模式的λ1/4时发生第一次共振,发生共振的间隔为其垂直注入的泄漏波波长λ1的一半. |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16425]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈良惠,王青,曹玉莲. InGaAsP/InGaP/AlGaAs大光学腔量子阱激光器的优化[J]. 半导体学报,2006,27(12):2173-2177. |
| APA | 陈良惠,王青,&曹玉莲.(2006).InGaAsP/InGaP/AlGaAs大光学腔量子阱激光器的优化.半导体学报,27(12),2173-2177. |
| MLA | 陈良惠,et al."InGaAsP/InGaP/AlGaAs大光学腔量子阱激光器的优化".半导体学报 27.12(2006):2173-2177. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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