磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵有文 ; 董志远 ; 孙文荣 ; 段满龙 ; 杨子祥 ; 吕旭如 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:12页码:2127-2133 |
| 中文摘要 | 分析研究了一些缺陷对InP单晶衬底的影响,包括团状结构位错的产生及其对晶格完整性的影响,坑状微缺陷、晶片抛光损伤和残留杂质的清洗腐蚀等.对这些缺陷的形成原因和抑制途径进行了分析.在此基础上获得了"开盒即用(EPI-READY)"、具有良好晶格完整性、表面无损伤的InP单晶衬底抛光片. |
| 英文摘要 | 分析研究了一些缺陷对InP单晶衬底的影响,包括团状结构位错的产生及其对晶格完整性的影响,坑状微缺陷、晶片抛光损伤和残留杂质的清洗腐蚀等.对这些缺陷的形成原因和抑制途径进行了分析.在此基础上获得了"开盒即用(EPI-READY)"、具有良好晶格完整性、表面无损伤的InP单晶衬底抛光片.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:02:20导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4135.pdf: 1294158 bytes, checksum: 4761ee7aaaa25caa5ef60ba5af5c5cc2 (MD5) Previous issue date: 2006; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-28 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16429]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵有文,董志远,孙文荣,等. 磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备[J]. 半导体学报,2006,27(12):2127-2133. |
| APA | 赵有文,董志远,孙文荣,段满龙,杨子祥,&吕旭如.(2006).磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备.半导体学报,27(12),2127-2133. |
| MLA | 赵有文,et al."磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备".半导体学报 27.12(2006):2127-2133. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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