偏置电压对Si-PIN探测器的性能影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 曹学蕾 ; 王焕玉; 张承模; 陈勇; 杨家伟; 梁晓华; 汪锦州; 高旻; 张家宇; 马国峰
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| 刊名 | 核电子学与探测技术
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| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 6页码:796-800 |
| 关键词 | Si-PIN探测器 偏置电压 能量分辨率 |
| 其他题名 | Effect of the reverse voltage to the S-i PIN detector |
| 通讯作者 | 曹学蕾 |
| 中文摘要 | 偏置电压对Si-PIN型半导体探测器将产生两方面的影响。偏置电压越高,结电容越小;另一方面,偏置电压越大,探测器的漏电流就越大。而探测器的结电容,漏电流是影响谱仪系统能量分辨率的最重要的因素。结合一些实验结果,从两个方面来讨论偏置电压对于由Si-PIN探测器构成的X射线谱仪能量分辨率的影响,以及探测器偏置电压的合理选取原则。 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/218333]  |
| 专题 | 高能物理研究所_粒子天体物理中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹学蕾,王焕玉,张承模,等. 偏置电压对Si-PIN探测器的性能影响[J]. 核电子学与探测技术,2006(6):796-800. |
| APA | 曹学蕾.,王焕玉.,张承模.,陈勇.,杨家伟.,...&马国峰.(2006).偏置电压对Si-PIN探测器的性能影响.核电子学与探测技术(6),796-800. |
| MLA | 曹学蕾,et al."偏置电压对Si-PIN探测器的性能影响".核电子学与探测技术 .6(2006):796-800. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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