MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器模拟与测试
文献类型：期刊论文
| 作者 | 雷晓荃 ; 毛陆虹 ; 陈弘达 ; 黄家乐 |
| 刊名 | 光电子·激光
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 17期号:12页码:1413-1417 |
| 中文摘要 | 设计了一种新型的与MS/RF CMOS工艺全兼容、带深n阱(DNW)、浅沟槽隔离(STI)的双光电探测器,分析了其工作机理,用器件模拟软件ATLAS对其暗电流、响应电流、光调制频率响应和波长响应进行了模拟.采用TSMC 0.18 μm MS/RF CMOS工艺进行了流片,对芯片进行了暗电流和响应度的测试.模拟和测试结果均表明,该探测器与常规双光电探测器相比,具有较低的暗电流和较高的响应度. |
| 英文摘要 | 设计了一种新型的与MS/RF CMOS工艺全兼容、带深n阱(DNW)、浅沟槽隔离(STI)的双光电探测器,分析了其工作机理,用器件模拟软件ATLAS对其暗电流、响应电流、光调制频率响应和波长响应进行了模拟.采用TSMC 0.18 μm MS/RF CMOS工艺进行了流片,对芯片进行了暗电流和响应度的测试.模拟和测试结果均表明,该探测器与常规双光电探测器相比,具有较低的暗电流和较高的响应度.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:02:23导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4142.pdf: 739304 bytes, checksum: bb9a2ff0198c667d9e55de0d62d98ce8 (MD5) Previous issue date: 2006; 国家"863"计划资助项目,国家自然科学基金; 天津大学电子信息工程学院;中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家"863"计划资助项目,国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-28 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16443]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 雷晓荃,毛陆虹,陈弘达,等. MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器模拟与测试[J]. 光电子·激光,2006,17(12):1413-1417. |
| APA | 雷晓荃,毛陆虹,陈弘达,&黄家乐.(2006).MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器模拟与测试.光电子·激光,17(12),1413-1417. |
| MLA | 雷晓荃,et al."MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器模拟与测试".光电子·激光 17.12(2006):1413-1417. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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