闪耀光栅外腔反馈压窄半导体激光器线宽技术的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 江鹏飞 ; 周燕 ; 谢福增 |
| 刊名 | 光学技术
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 32期号:6页码:869-870 |
| 中文摘要 | 在讨论半导体激光线宽压窄理论的基础上,利用闪耀光栅作为外部反馈元件,介绍了由中心波长为949.6nm、原始线宽为1.2THz的单管半导体激光器构成的反馈外腔,它能够很好的改善半导体激光器的性能.实验得到了中心波长稳定的、单纵模的高质量激光输出,边模抑制比大于30dB,线宽优于1.2MHz (Δλ＜3.6×10~(-6)nm).实验证实了强反馈能够很好地改善外腔半导体激光器的动态特性. |
| 英文摘要 | 在讨论半导体激光线宽压窄理论的基础上,利用闪耀光栅作为外部反馈元件,介绍了由中心波长为949.6nm、原始线宽为1.2THz的单管半导体激光器构成的反馈外腔,它能够很好的改善半导体激光器的性能.实验得到了中心波长稳定的、单纵模的高质量激光输出,边模抑制比大于30dB,线宽优于1.2MHz (Δλ＜3.6×10~(-6)nm).实验证实了强反馈能够很好地改善外腔半导体激光器的动态特性.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:02:27导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4152.pdf: 278691 bytes, checksum: 52b64e5b14314e7f27d5de7f72f14859 (MD5) Previous issue date: 2006; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-28 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16459]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 江鹏飞,周燕,谢福增. 闪耀光栅外腔反馈压窄半导体激光器线宽技术的研究[J]. 光学技术,2006,32(6):869-870. |
| APA | 江鹏飞,周燕,&谢福增.(2006).闪耀光栅外腔反馈压窄半导体激光器线宽技术的研究.光学技术,32(6),869-870. |
| MLA | 江鹏飞,et al."闪耀光栅外腔反馈压窄半导体激光器线宽技术的研究".光学技术 32.6(2006):869-870. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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