高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 罗卫军 ; 陈晓娟 ; 李成瞻 ; 刘新宇 ; 和致经 ; 魏珂 ; 梁晓新 ; 王晓亮 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:11页码:1981-1983 |
| 中文摘要 | 在6H-SiC衬底上,外延生长了AlGaN/GaN HEMT结构,设计并实现了高性能1mm AlGaN/GaN微波功率HEMT,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长.测试表明,该1mm栅宽器件栅长为0.8μm,输出电流密度达到1.16A/mm,跨导为241mS/mm,击穿电压＞80V,特征频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz.5.4GHz连续波测试下功率增益为14.2dB,输出功率达4.1W,脉冲条件测试下功率增益为14.4dB,输出功率为5.2W,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力. |
| 英文摘要 | 在6H-SiC衬底上,外延生长了AlGaN/GaN HEMT结构,设计并实现了高性能1mm AlGaN/GaN微波功率HEMT,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长.测试表明,该1mm栅宽器件栅长为0.8μm,输出电流密度达到1.16A/mm,跨导为241mS/mm,击穿电压＞80V,特征频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz.5.4GHz连续波测试下功率增益为14.2dB,输出功率达4.1W,脉冲条件测试下功率增益为14.4dB,输出功率为5.2W,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:02:31导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4168.pdf: 540885 bytes, checksum: a10a38b05dfcc93cd645c42689b8e6a9 (MD5) Previous issue date: 2006; 国家重点基础研究发展计划,中国科学院重点创新资助项目; 中国科学院半导体研究所;中国科学院微电子研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家重点基础研究发展计划,中国科学院重点创新资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-28 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16477]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗卫军,陈晓娟,李成瞻,等. 高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制[J]. 半导体学报,2006,27(11):1981-1983. |
| APA | 罗卫军.,陈晓娟.,李成瞻.,刘新宇.,和致经.,...&王晓亮.(2006).高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制.半导体学报,27(11),1981-1983. |
| MLA | 罗卫军,et al."高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制".半导体学报 27.11(2006):1981-1983. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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