GEM膜的化学刻蚀与性能测试
文献类型：期刊论文
| 作者 | 钟夏华; 李玉兰; 来永芳; 李金 |
| 刊名 | 核电子学与探测技术
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| 出版日期 | 2009 |
| 期号 | 5页码:1214-1217 |
| 关键词 | GEM 化学刻蚀 漏电流 有效增益 能量分辨率 |
| 其他题名 | Fabricating Optimum and Qual ity Test of Gas Electron Multiplier Based on Chemical Etching |
| 中文摘要 | 分析了化学蚀刻制作GEM膜过程中影响蚀刻质量的实验因素,并对相关的蚀刻条件进行了优化,制作出了8张灵敏面积为4×4cm2,孔径为85μm,孔间距为140μm的GEM膜并用其中的3张搭建了探测器。利用55Fe的X射线(5.9keV)测试探测器性能,结果显示,能量分辨率约为26%,有效增益可达105。 |
| 公开日期 | 2016-02-26 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/219368]  |
| 专题 | 高能物理研究所_实验物理中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 钟夏华,李玉兰,来永芳,等. GEM膜的化学刻蚀与性能测试[J]. 核电子学与探测技术,2009(5):1214-1217. |
| APA | 钟夏华,李玉兰,来永芳,&李金.(2009).GEM膜的化学刻蚀与性能测试.核电子学与探测技术(5),1214-1217. |
| MLA | 钟夏华,et al."GEM膜的化学刻蚀与性能测试".核电子学与探测技术 .5(2009):1214-1217. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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