PIN半导体剂量率探测器的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨世明; 李金; 宫辉; 邵贝贝 |
| 刊名 | 核电子学与探测技术
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| 出版日期 | 2007 |
| 期号 | 2页码:310-312+218 |
| 关键词 | 剂量率 束流管 PIN硅光电二级管 暗电流 |
| 其他题名 | Measurement and study of the radiation background at interaction region of BEPCI |
| 中文摘要 | 利用大面积PIN硅光电二极管作为探测器,对北京正负电子对撞机BEPCI在同步辐射运行、束流注入、束流切断等情况下对撞区的辐射水平进行测量,并分析辐射本底的强度、来源及特点;研究PIN半导体探测器在BEPCI对撞区的工作状况,为第三代北京谱仪BESIII的剂量率在线检测奠定基础。 |
| 公开日期 | 2016-02-26 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/219477]  |
| 专题 | 高能物理研究所_实验物理中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨世明,李金,宫辉,等. PIN半导体剂量率探测器的研究[J]. 核电子学与探测技术,2007(2):310-312+218. |
| APA | 杨世明,李金,宫辉,&邵贝贝.(2007).PIN半导体剂量率探测器的研究.核电子学与探测技术(2),310-312+218. |
| MLA | 杨世明,et al."PIN半导体剂量率探测器的研究".核电子学与探测技术 .2(2007):310-312+218. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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