PIN硅光电二极管用于γ射线探测的试验研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨世明; 龚光华; 邵贝贝; 李金 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 期号 | 8页码:573-576 |
| 关键词 | PIN硅光电二极管 累积剂量 暗电流 辐射损伤 剂量率 |
| 其他题名 | EXPERIMENTAL STUDY OF PIN PHOTODIODE FOR γ RAY DETECTION |
| 中文摘要 | 在X、γ射线的剂量或剂量率测量场合,常用到PIN硅光电二极管。比起传统的电离室等,它有体积小、灵敏度高、成本低、不需要高压等优点;与计数管、闪烁探测器相比,其电流输出的特性可以避免脉冲场下的死时间问题。但大剂量照射造成的辐射损伤是影响其性能的最大因素。以XRB100s-CB380为例,通过试验研究了PIN硅光电二极管的特性,包括灵敏度、偏压影响、温度补偿、辐射损伤及退火等,并简单介绍了实际应用中对输出电流信号的处理方法。 |
| 公开日期 | 2016-02-26 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/219478]  |
| 专题 | 高能物理研究所_实验物理中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨世明,龚光华,邵贝贝,等. PIN硅光电二极管用于γ射线探测的试验研究[J]. 核技术,2006(8):573-576. |
| APA | 杨世明,龚光华,邵贝贝,&李金.(2006).PIN硅光电二极管用于γ射线探测的试验研究.核技术(8),573-576. |
| MLA | 杨世明,et al."PIN硅光电二极管用于γ射线探测的试验研究".核技术 .8(2006):573-576. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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