硅光电二极管作为CsI（Tl）晶体读出元件的实验研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 何景棠; 陈端保; 李祖豪 ; 毛裕芳; 董晓黎
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| 刊名 | 高能物理与核物理
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| 出版日期 | 1996 |
| 期号 | 10页码:4 |
| 关键词 | 硅光电二极管 CsI晶体 能量分辨率 |
| 其他题名 | EXPERIMENTAL STUDIES ON USING SILICON PHOTODIODE AS READ-OUT COMPONENT OF CsI(TI) CRYSTAL |
| 通讯作者 | 何景棠 |
| 中文摘要 | 报道了硅光电二极管作为ＣｓＩ（Ｔｌ）晶体读出元件的实验研究．测量了日本Ｈａｍａｍａｔｓｕ生产的两种硅光电二极管的读出性能，包括能量分辨率与偏压、成形时间、灵敏面积和晶体尺寸的关系． |
| 公开日期 | 2016-02-26 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/219924]  |
| 专题 | 高能物理研究所_实验物理中心 高能物理研究所_粒子天体物理中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何景棠,陈端保,李祖豪,等. 硅光电二极管作为CsI（Tl）晶体读出元件的实验研究[J]. 高能物理与核物理,1996(10):4. |
| APA | 何景棠,陈端保,李祖豪,毛裕芳,&董晓黎.(1996).硅光电二极管作为CsI（Tl）晶体读出元件的实验研究.高能物理与核物理(10),4. |
| MLA | 何景棠,et al."硅光电二极管作为CsI（Tl）晶体读出元件的实验研究".高能物理与核物理 .10(1996):4. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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