硅微条探测器的辐射损伤试验
文献类型：期刊论文
| 作者 | 顾维新 |
| 刊名 | 高能物理与核物理
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 期号 | 4页码:292-297 |
| 关键词 | 硅微条探测器 辐射损伤 黑洞 耗尽电压 |
| 其他题名 | Radiation Damage Tests of Silicon Microstrip Detector |
| 通讯作者 | 顾维新 |
| 中文摘要 | 测量了硅微条探测器在辐照前后的坪曲线、脉冲高度与偏置电压的关系，及辐照后的总漏电流和黑洞的大小 |
| 公开日期 | 2016-02-26 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/219926]  |
| 专题 | 高能物理研究所_实验物理中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 顾维新. 硅微条探测器的辐射损伤试验[J]. 高能物理与核物理,1997(4):292-297. |
| APA | 顾维新.(1997).硅微条探测器的辐射损伤试验.高能物理与核物理(4),292-297. |
| MLA | 顾维新."硅微条探测器的辐射损伤试验".高能物理与核物理 .4(1997):292-297. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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