质子轰击室温连续工作GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光二极管的研制
文献类型:期刊论文
刊名 | 科学通报
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出版日期 | 1975 |
期号 | 12页码:559-560 |
关键词 | GaAs-Ga x)Al_xAs 质子束 异质结构 液相外延 散热片 外延片 外延衬底 外延层 欧姆接触 |
中文摘要 | 利用GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结构,加上条形结构可以获得在室温下连续工作的半导体激光二极管。我们利用通常的液相外延方法生长出GaAs-Ga_(1-x)-Al_XAs双异质结构材料。并用质子轰击法来形成条形结构。这样用银散热片做成的器件能在300°K下长时期地连续工作。 |
公开日期 | 2016-02-26 |
源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/220428] ![]() |
专题 | 高能物理研究所_实验物理中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | . 质子轰击室温连续工作GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光二极管的研制[J]. 科学通报,1975(12):559-560. |
APA | (1975).质子轰击室温连续工作GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光二极管的研制.科学通报(12),559-560. |
MLA | "质子轰击室温连续工作GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光二极管的研制".科学通报 .12(1975):559-560. |
入库方式: OAI收割
来源:高能物理研究所
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