中子屏蔽材料及制备工艺
文献类型：专利
| 作者 | 柯于斌 ; 陶举洲; 周健荣; 王凌倩
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| 发表日期 | 2012-05-18 |
| 专利号 | CN103426492A |
| 公开日期 | 2013-12-04 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/211135]  |
| 专题 | 高能物理研究所_实验物理中心 中国科学院高能物理研究所_中国散裂中子源 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柯于斌,陶举洲,周健荣,等. 中子屏蔽材料及制备工艺. CN103426492A. 2012-05-18. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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