不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈涌海 ; 徐波
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:6页码:1012-1015 |
| 中文摘要 | 利用喇曼散射方法在77K温度下对不同淀积厚度的InAs/GaAs量子点材料进行了研究.在高于InAs体材料LO模的频率范围内观察到了量子点的喇曼特征峰,分析表明应变效应是影响QD声子频率的主要因素.实验显示,随着量子点层淀积厚度L的增加,InAs量子点的声子频率由于应变释放发生红移.在加入InAlAs应变缓冲层的样品中,类AlAs声子峰随L增大发生了蓝移,从侧面证实了InAs量子点层的应变释放过程. |
| 英文摘要 | 利用喇曼散射方法在77K温度下对不同淀积厚度的InAs/GaAs量子点材料进行了研究.在高于InAs体材料LO模的频率范围内观察到了量子点的喇曼特征峰,分析表明应变效应是影响QD声子频率的主要因素.实验显示,随着量子点层淀积厚度L的增加,InAs量子点的声子频率由于应变释放发生红移.在加入InAlAs应变缓冲层的样品中,类AlAs声子峰随L增大发生了蓝移,从侧面证实了InAs量子点层的应变释放过程.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:02:38导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4185.pdf: 363373 bytes, checksum: e2ab8a2c5a12dbe5c97ddbce172b6735 (MD5) Previous issue date: 2006; 国家自然科学基金,天津市应用基础研究资助项目; 南开大学;中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,天津市应用基础研究资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16509]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈涌海,徐波. 不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射[J]. 半导体学报,2006,27(6):1012-1015. |
| APA | 陈涌海,&徐波.(2006).不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射.半导体学报,27(6),1012-1015. |
| MLA | 陈涌海,et al."不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射".半导体学报 27.6(2006):1012-1015. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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