升华法生长AlN体单晶初探
文献类型：期刊论文
| 作者 | 魏学成
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:7页码:1241-1245 |
| 中文摘要 | 研究了高温升华法（PVT）生长AlN体单晶的技术和材料的性质.使用陶瓷BN坩埚,加热温度约在1900℃左右,生长结果为AlN晶须或致密多晶,难以生长出较大的AlN晶粒.用钨坩埚加热生长温度达到2200℃左右时,在AlN陶瓷片和6H-SiC片上生长了直径22mm的AlN晶体,最大的晶粒尺寸长10mm、直径5mm.利用X射线粉末衍射分析了几种不同AlN样品的结构和组成.讨论了PVT法生长AlN晶体所涉及的化学热力学过程和现象. |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16517]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏学成. 升华法生长AlN体单晶初探[J]. 半导体学报,2006,27(7):1241-1245. |
| APA | 魏学成.(2006).升华法生长AlN体单晶初探.半导体学报,27(7),1241-1245. |
| MLA | 魏学成."升华法生长AlN体单晶初探".半导体学报 27.7(2006):1241-1245. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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