高质量InAs单晶材料的制备及其性质
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵有文 ; 孙文荣 ; 段满龙 ; 董志远 ; 杨子祥 ; 吕旭如 ; 王应利 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:8页码:1391-1395 |
| 中文摘要 | 利用液封直拉法（LEC）生长了直径50mm〈100〉和（111〉晶向的InAs单晶．分析研究了n型杂质Sn，S和p型杂质Zn，Mn的分凝特性、晶格硬化作用、掺杂效率等．利用X射线双晶衍射分析了晶体的完整性．对InAs晶片的抛光、化学腐蚀和清洗进行了分析，在此基础上实现了抛光晶片的开盒即用（EPI—READY）． |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16529]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵有文,孙文荣,段满龙,等. 高质量InAs单晶材料的制备及其性质[J]. 半导体学报,2006,27(8):1391-1395. |
| APA | 赵有文.,孙文荣.,段满龙.,董志远.,杨子祥.,...&王应利.(2006).高质量InAs单晶材料的制备及其性质.半导体学报,27(8),1391-1395. |
| MLA | 赵有文,et al."高质量InAs单晶材料的制备及其性质".半导体学报 27.8(2006):1391-1395. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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