蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王晓燕 ; 肖红领; 王保柱
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:8页码:1382-1385 |
| 中文摘要 | 利用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了晶体质量较好的单晶InAlGaN薄膜．在生长InAlGaN外延层时，获得了外延膜的二维生长，卢瑟福背散射测量结果表明，InAlGaN外延层中In，Al和Ga的组分分别为2％，22％和76％，并且元素的深度分布比较均匀，InAlGaN（0002）三晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为4．8′，通过原子力显微镜观察外延膜表面存在小山丘状的突起和一些小坑，测量得到外延膜表面的均方根粗糙度为2．2nm．利用光电导谱测量InAlGaN的带隙为3．76eV． |
| 英文摘要 | 利用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了晶体质量较好的单晶InAlGaN薄膜．在生长InAlGaN外延层时，获得了外延膜的二维生长，卢瑟福背散射测量结果表明，InAlGaN外延层中In，Al和Ga的组分分别为2％，22％和76％，并且元素的深度分布比较均匀，InAlGaN（0002）三晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为4．8′，通过原子力显微镜观察外延膜表面存在小山丘状的突起和一些小坑，测量得到外延膜表面的均方根粗糙度为2．2nm．利用光电导谱测量InAlGaN的带隙为3．76eV．; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:02:42导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4196.pdf: 420528 bytes, checksum: 291af636c9970a5cecacd377f51da775 (MD5) Previous issue date: 2006; 中国科学院知识创新工程,国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金资助项目; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 中国科学院知识创新工程,国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16531]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓燕,肖红领,王保柱. 蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长[J]. 半导体学报,2006,27(8):1382-1385. |
| APA | 王晓燕,肖红领,&王保柱.(2006).蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长.半导体学报,27(8),1382-1385. |
| MLA | 王晓燕,et al."蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长".半导体学报 27.8(2006):1382-1385. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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