Si／SiGe量子级联激光器研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩根全 ; 林桂江 ; 余金中 |
| 刊名 | 物理
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 35期号:8页码:673-678 |
| 中文摘要 | Si／SiGe量子级联激光器是一种新型的带内跃迁的红外光源，突破了Si基材料间接带隙特性对光跃迁的限制。Si/SiGe量子级联激光器的开发将为实现太赫兹有源器件的硅基集成产生深远影响。文章介绍了Si/SiGe量子级联激光器的工作原理，以及这类激光器在能带设计、材料生长和波导制作方面的最新进展。 |
| 英文摘要 | Si／SiGe量子级联激光器是一种新型的带内跃迁的红外光源，突破了Si基材料间接带隙特性对光跃迁的限制。Si/SiGe量子级联激光器的开发将为实现太赫兹有源器件的硅基集成产生深远影响。文章介绍了Si/SiGe量子级联激光器的工作原理，以及这类激光器在能带设计、材料生长和波导制作方面的最新进展。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:02:44导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4203.pdf: 406485 bytes, checksum: 2f38e804f62b0f984347f01131221cc6 (MD5) Previous issue date: 2006; 国家自然科学基金资助项目; 中国科学院半导体研究所;厦门大学物理系 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16545]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩根全,林桂江,余金中. Si／SiGe量子级联激光器研究进展[J]. 物理,2006,35(8):673-678. |
| APA | 韩根全,林桂江,&余金中.(2006).Si／SiGe量子级联激光器研究进展.物理,35(8),673-678. |
| MLA | 韩根全,et al."Si／SiGe量子级联激光器研究进展".物理 35.8(2006):673-678. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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