全硅片上光互连用波导
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张宇
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| 刊名 | 激光与光电子学进展
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 43期号:8页码:27-31 |
| 中文摘要 | 较详细地分析了用于全硅片上光互连所用光波导（如多晶Si／SiO2、Si／SiO2、Si3N4/SiO2）需满足的基本条件、制作方法以及损耗机制，总结了目前的研究进展。 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金项目,天津市应用基础研究重点项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16567]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张宇. 全硅片上光互连用波导[J]. 激光与光电子学进展,2006,43(8):27-31. |
| APA | 张宇.(2006).全硅片上光互连用波导.激光与光电子学进展,43(8),27-31. |
| MLA | 张宇."全硅片上光互连用波导".激光与光电子学进展 43.8(2006):27-31. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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