掺铕GaN薄膜的Raman散射研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张春光 ; 卞留芳 ; 陈维德 |
| 刊名 | 中国稀土学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 24期号:3页码:279-283 |
| 中文摘要 | 采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）和离子注入的方法制备了掺铕GaN薄膜。利用Raman散射技术研究薄膜的晶格振动，从而确定离子注入引进的晶格损伤变化情况。结果表明，Eu离子注入剂量越大，对晶格的损伤越严重；Eu离子注入的能量越高，对晶格的损伤也越严重；采用沟道注入方法可以有效地减小对晶体的损伤。离子注入后进行高温退火，可以使晶格中的Ga空位引起的缺陷得到有效的恢复。而N空位引起的缺陷随着退火温度的升高先减少后增多。不同几何配置的Raman谱研究表明，1000℃的高温退火导致了GaN的分解。 |
| 英文摘要 | 采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）和离子注入的方法制备了掺铕GaN薄膜。利用Raman散射技术研究薄膜的晶格振动，从而确定离子注入引进的晶格损伤变化情况。结果表明，Eu离子注入剂量越大，对晶格的损伤越严重；Eu离子注入的能量越高，对晶格的损伤也越严重；采用沟道注入方法可以有效地减小对晶体的损伤。离子注入后进行高温退火，可以使晶格中的Ga空位引起的缺陷得到有效的恢复。而N空位引起的缺陷随着退火温度的升高先减少后增多。不同几何配置的Raman谱研究表明，1000℃的高温退火导致了GaN的分解。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:02:52导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4246.pdf: 349370 bytes, checksum: ab1f612accb9837f585c4bd5d92c907d (MD5) Previous issue date: 2006; 国家自然科学基金资助课题; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金资助课题 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16585]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张春光,卞留芳,陈维德. 掺铕GaN薄膜的Raman散射研究[J]. 中国稀土学报,2006,24(3):279-283. |
| APA | 张春光,卞留芳,&陈维德.(2006).掺铕GaN薄膜的Raman散射研究.中国稀土学报,24(3),279-283. |
| MLA | 张春光,et al."掺铕GaN薄膜的Raman散射研究".中国稀土学报 24.3(2006):279-283. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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