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780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器

文献类型:期刊论文

作者曹玉莲; 陈良惠; 王青
刊名半导体学报
出版日期2006
卷号27期号:9页码:1621-1624
中文摘要采用MOCVD生长了InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料系分别限制异质结构(SCH) 的高功率半导体激光器.对于厚度为10nm 的单量子阱,通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长. 在室温下外延材料的荧光峰值波长为764nm,由于In原子的记忆效应(In carry-over effect)和As/P的替换作用使材料的InGaP/AlGaAs界面不陡峭,通过在InGaP/AlGaAs间长一层5nm的GaAsP大大改善了界面质量. 器件的阈值电流从界面改善前的560mA 减小到改善后的450mA, 斜率效率也从0.61W/A提高到了0.7W/A, 特别是单面最大输出功率已经从370mW 增加到了940mW,发生灾变性光学损伤时的工作电流已经由原来的1100mA 上升为1820mA.
学科主题光电子学
收录类别CSCD
语种中文
公开日期2010-11-23
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16595]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
曹玉莲,陈良惠,王青. 780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器[J]. 半导体学报,2006,27(9):1621-1624.
APA 曹玉莲,陈良惠,&王青.(2006).780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器.半导体学报,27(9),1621-1624.
MLA 曹玉莲,et al."780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器".半导体学报 27.9(2006):1621-1624.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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