780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 曹玉莲 ; 陈良惠; 王青
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:9页码:1621-1624 |
| 中文摘要 | 采用MOCVD生长了InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料系分别限制异质结构(SCH) 的高功率半导体激光器.对于厚度为10nm 的单量子阱,通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长. 在室温下外延材料的荧光峰值波长为764nm,由于In原子的记忆效应(In carry-over effect)和As/P的替换作用使材料的InGaP/AlGaAs界面不陡峭,通过在InGaP/AlGaAs间长一层5nm的GaAsP大大改善了界面质量. 器件的阈值电流从界面改善前的560mA 减小到改善后的450mA, 斜率效率也从0.61W/A提高到了0.7W/A, 特别是单面最大输出功率已经从370mW 增加到了940mW,发生灾变性光学损伤时的工作电流已经由原来的1100mA 上升为1820mA. |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16595]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹玉莲,陈良惠,王青. 780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器[J]. 半导体学报,2006,27(9):1621-1624. |
| APA | 曹玉莲,陈良惠,&王青.(2006).780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器.半导体学报,27(9),1621-1624. |
| MLA | 曹玉莲,et al."780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器".半导体学报 27.9(2006):1621-1624. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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