双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周代兵 ; 王晓东
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:9页码:1586-1589 |
| 中文摘要 | 用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO2的混合膜.通过改变两种膜料蒸发速率的比例,得到的各个膜层,其折射率大小在两种膜料折射率之间的范围内变化.从实验上得出了混合膜层的折射率随Si和SiO2蒸发速率比变化的规律,并讨论了这种淀积方法的优越性. |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16597]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周代兵,王晓东. 双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺[J]. 半导体学报,2006,27(9):1586-1589. |
| APA | 周代兵,&王晓东.(2006).双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺.半导体学报,27(9),1586-1589. |
| MLA | 周代兵,et al."双源电子束蒸发制备Si/SiO2光学薄膜的工艺".半导体学报 27.9(2006):1586-1589. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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