长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备
文献类型：期刊论文
| 作者 | 潘教青 ; 王圩; 朱洪亮
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 55期号:10页码:5216-5220 |
| 中文摘要 | 采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术，得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱，加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA)，输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃，1.74μm激光器的特征温度T0=57K，和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当. |
| 英文摘要 | 采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术，得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱，加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA)，输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃，1.74μm激光器的特征温度T0=57K，和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:02:58导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4261.pdf: 366151 bytes, checksum: 6d89df609c74da7fa95d3acda34ab7a5 (MD5) Previous issue date: 2006; 国家自然科学基金资助的课题; 中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 资助信息 | 国家自然科学基金资助的课题 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16613]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 潘教青,王圩,朱洪亮. 长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备[J]. 物理学报,2006,55(10):5216-5220. |
| APA | 潘教青,王圩,&朱洪亮.(2006).长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备.物理学报,55(10),5216-5220. |
| MLA | 潘教青,et al."长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备".物理学报 55.10(2006):5216-5220. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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