InP/Si键合界面热应力分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 伊晓燕 ; 郭金霞; 刘志强; 于丽娟
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| 刊名 | 半导体光电
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 27期号:4页码:429-433 |
| 中文摘要 | 从理论上分析了键合热应力产生的原因,在此基础上,采用双层条状金属热应力模型讨论InP/Si键合过程中应力的大小及分布情况.结果表明, 由剪切应力和晶片弯矩决定的界面正应力是晶片中心区域大面积键合失败的主要原因,同时InP/Si键合合适的退火温度应该在250～300 ℃.最后在300 ℃退火条件下很好地实现了InP/Si键合,界面几乎没有气泡,有效键合面积超过90%. |
| 英文摘要 | 从理论上分析了键合热应力产生的原因,在此基础上,采用双层条状金属热应力模型讨论InP/Si键合过程中应力的大小及分布情况.结果表明, 由剪切应力和晶片弯矩决定的界面正应力是晶片中心区域大面积键合失败的主要原因,同时InP/Si键合合适的退火温度应该在250～300 ℃.最后在300 ℃退火条件下很好地实现了InP/Si键合,界面几乎没有气泡,有效键合面积超过90%.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:03:02导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4273.pdf: 453693 bytes, checksum: 4320b30dc89dbb3572f179d218839480 (MD5) Previous issue date: 2006; 中国科学院半导体研究所,集成技术中心 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16633]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊晓燕,郭金霞,刘志强,等. InP/Si键合界面热应力分析[J]. 半导体光电,2006,27(4):429-433. |
| APA | 伊晓燕,郭金霞,刘志强,&于丽娟.(2006).InP/Si键合界面热应力分析.半导体光电,27(4),429-433. |
| MLA | 伊晓燕,et al."InP/Si键合界面热应力分析".半导体光电 27.4(2006):429-433. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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