掺铒a-Si_xC_(1-x)-H薄膜的发光特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 卞留芳 ; 张春光 ; 陈维德 ; 许振嘉 ; 屈玉华 ; 刁宏伟 |
| 刊名 | 中国稀土学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 24期号:4页码:395-398 |
| 中文摘要 | 用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 的方法,以固定的氢气(H2)流量和不同的硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)流量比沉积了一系列的氢化非晶SiC(a-SixC1-x-H)膜.用这种宽带隙的a-SixC1-x-H材料作为掺铒的基体材料,通过离子注入的方法得到掺铒的a-SixC1-x-H(a-SixC1-x-H:Er)膜.注入以后的样品经过不同温度的退火.用X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、拉曼散射谱(Raman)等技术研究不同的SiH4/CH4流量比和退火温度对a-SixC1-x-H:Er发光强度的影响.结果表明,高温退火引起了膜中C的分凝,对铒的发光是不利的.通过低温和室温下铒发光强度的比较,表明这种材料具有较弱的温度猝灭效应. |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16635]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 卞留芳,张春光,陈维德,等. 掺铒a-Si_xC_(1-x)-H薄膜的发光特性[J]. 中国稀土学报,2006,24(4):395-398. |
| APA | 卞留芳,张春光,陈维德,许振嘉,屈玉华,&刁宏伟.(2006).掺铒a-Si_xC_(1-x)-H薄膜的发光特性.中国稀土学报,24(4),395-398. |
| MLA | 卞留芳,et al."掺铒a-Si_xC_(1-x)-H薄膜的发光特性".中国稀土学报 24.4(2006):395-398. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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