单边掺杂InAlAs／InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周文政 ; 姚炜 ; 朱博 ; 仇志军 ; 郭少令 ; 林铁 ; 崔利杰 ; 桂永胜 ; 褚君浩 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 55期号:4页码:2044-2048 |
| 中文摘要 | 研究了双子带占据的In0.52Al0.48As／In0.53Ga0.47As单量子阱中磁电阻的Shubnikov-de Haas（SdH）振荡效应和霍耳效应，获得了不同子带电子的浓度、迁移率、有效质量和能级位置．低磁感应强度（B〈1．5T）下由迁移率谱和多载流子拟合相结合的方法得到的各子带电子浓度与通过SdH振荡得到的结果一致．在d^2ρ／dB^2-1／B的快速傅里叶变换谱中，观察到除了通常强烈依赖温度的对应于各子带的频率f1和f2以及f1的倍频（2f1）外，还观察到对温度不敏感的频率f1-f2．这是由于量子阱中不同子带的电子具有相近的有效质量，两个子带之间发生了强烈的磁致子带间散射． |
| 英文摘要 | 研究了双子带占据的In0.52Al0.48As／In0.53Ga0.47As单量子阱中磁电阻的Shubnikov-de Haas（SdH）振荡效应和霍耳效应，获得了不同子带电子的浓度、迁移率、有效质量和能级位置．低磁感应强度（B〈1．5T）下由迁移率谱和多载流子拟合相结合的方法得到的各子带电子浓度与通过SdH振荡得到的结果一致．在d^2ρ／dB^2-1／B的快速傅里叶变换谱中，观察到除了通常强烈依赖温度的对应于各子带的频率f1和f2以及f1的倍频（2f1）外，还观察到对温度不敏感的频率f1-f2．这是由于量子阱中不同子带的电子具有相近的有效质量，两个子带之间发生了强烈的磁致子带间散射．; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:03:04导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4279.pdf: 453372 bytes, checksum: 42743e1e1fe04cb0b87efd6013b27bf4 (MD5) Previous issue date: 2006; 国家重点基础研究发展规划资助的课题; 中国科学院上海技术物理研究所;中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家重点基础研究发展规划资助的课题 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16645]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周文政,姚炜,朱博,等. 单边掺杂InAlAs／InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性[J]. 物理学报,2006,55(4):2044-2048. |
| APA | 周文政.,姚炜.,朱博.,仇志军.,郭少令.,...&褚君浩.(2006).单边掺杂InAlAs／InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性.物理学报,55(4),2044-2048. |
| MLA | 周文政,et al."单边掺杂InAlAs／InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性".物理学报 55.4(2006):2044-2048. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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