InAlAs量子点材料的AFM和拉曼散射研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈涌海
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| 刊名 | 激光与光电子学进展
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 43期号:4页码:68-72 |
| 中文摘要 | 对分子束外延（MBE）自组织生长的InAlAs量子点材料进行了拉曼散射实验。结合原子力显微镜（AnD对量子点形貌观察的结果，分析了InAlAs量子点生长过程中尺寸、密度和均匀性的改变，并研究了三维岛的结构对拉曼谱线的影响。对InAlAs淀积厚度不同样品的拉曼谱分析表明，岛状结构的尺寸横纵比与类GaAsLO模和类AlAs LO模的半高全宽有密切关系。不同偏振下的拉曼实验证实了该结构中的光学声子在Z（X,X）Z偏振条件下为非拉曼活性。 |
| 英文摘要 | 对分子束外延（MBE）自组织生长的InAlAs量子点材料进行了拉曼散射实验。结合原子力显微镜（AnD对量子点形貌观察的结果，分析了InAlAs量子点生长过程中尺寸、密度和均匀性的改变，并研究了三维岛的结构对拉曼谱线的影响。对InAlAs淀积厚度不同样品的拉曼谱分析表明，岛状结构的尺寸横纵比与类GaAsLO模和类AlAs LO模的半高全宽有密切关系。不同偏振下的拉曼实验证实了该结构中的光学声子在Z（X,X）Z偏振条件下为非拉曼活性。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:03:09导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4289.pdf: 528427 bytes, checksum: 9335ca1c3095383f7e1f68949d564055 (MD5) Previous issue date: 2006; 国家自然科学基金; 天津市南开大学;中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16665]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈涌海. InAlAs量子点材料的AFM和拉曼散射研究[J]. 激光与光电子学进展,2006,43(4):68-72. |
| APA | 陈涌海.(2006).InAlAs量子点材料的AFM和拉曼散射研究.激光与光电子学进展,43(4),68-72. |
| MLA | 陈涌海."InAlAs量子点材料的AFM和拉曼散射研究".激光与光电子学进展 43.4(2006):68-72. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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