1．55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 牛智川 ; 韩勤; 彭红玲
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| 刊名 | 光子学报
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| 出版日期 | 2006 |
| 卷号 | 35期号:4页码:549-551 |
| 中文摘要 | 利用低温（200℃）生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1．55μm谐振腔增强型（RCE）光电探测器，对其光电特性进行了分析、研究．无光照0偏压下探测器暗电流为8．0×10^12A；光电流谱峰值波长1563nm；响应谱线半宽4nm，具有良好的波长选择性． |
| 英文摘要 | 利用低温（200℃）生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1．55μm谐振腔增强型（RCE）光电探测器，对其光电特性进行了分析、研究．无光照0偏压下探测器暗电流为8．0×10^12A；光电流谱峰值波长1563nm；响应谱线半宽4nm，具有良好的波长选择性．; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:03:10导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4293.pdf: 187809 bytes, checksum: 79c2ea2457dc365ff90144f587dff1cd (MD5) Previous issue date: 2006; 国家自然科学基金,国家973计划,863计划资助项目; 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,国家973计划,863计划资助项目 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16673]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛智川,韩勤,彭红玲. 1．55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器[J]. 光子学报,2006,35(4):549-551. |
| APA | 牛智川,韩勤,&彭红玲.(2006).1．55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器.光子学报,35(4),549-551. |
| MLA | 牛智川,et al."1．55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器".光子学报 35.4(2006):549-551. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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